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近年來，隨著半導體顯示技術的不斷更新，消費者對電子產品的顯示性能也提出了更高的要求，需求的倒逼加速了面板技術的發展，Oxide TFT技術由此應運而生。該技術在AMOLED有巨大的應用價值，尤其是在大尺寸、超高清、3D顯示、高像素密度和低功耗等領域都有顯著優勢。

當前，主流的TFT技術有a-Si、LTPS及Oxide三種。其中，Oxide技術以其高遷移率、低功耗（漏電流低）及大面積均一性好等優勢，越來越受到大眾的關注，而TCL華星在該技術領域的深入探尋，也使其有了更大的市場前景。

氧化物薄膜晶體管（Oxide TFT）是利用場效應原理工作的一種半導體器件，其核心結構為半導體有源層/柵極絕緣層/柵極金屬層薄膜疊層。目前大部分Oxide TFT中的半導體層采用的都是銦鎵鋅氧化物（即IGZO），它是一種In/Ga/Zn/O（即IGZO）四種化學元素按一定比例形成的化合物。相比a-Si材料，IGZO憑借獨特的載流子傳導機制,可在非晶的狀態下獲得高的電子遷移率

與傳統a-Si TFT顯示屏對比，Oxide TFT顯示屏解決了a-Si方案現階段穩定性與遷移率的技術瓶頸，顯示性能得到提升；而LTPS受限于設備以及良率等問題主要應用于小尺寸OLED，其在大尺寸OLED上的應用還有一定困難。所以，隨著Oxide TFT技術在大尺寸AMOLED顯示領域的普及與推廣，未來可能會受到更多消費者的青睞。

作為半導體科技行業先鋒、顯示領域引領者，TCL華星不僅擁有業內高端的大尺寸OLED生產線，同時也掌握了前沿的Oxide TFT技術。

高分辨大尺寸

TCL華星采用銅制程頂柵Oxide TFT器件結構，產品寄生電容和RC loading較小，遠低于其他結構，因此能夠滿足高分辨率和高刷新率產品的需求，更加適合于大尺寸顯示面板。

穩定性高

為獲得更高性能的Oxide TFT器件，TCL華星致力于技術改進，首先通過優化關鍵膜層的制程工藝獲得了高可靠度的Top gate IGZO TFT器件，并成功將它應用到柔性基板上。其次導入了新型Oxide材料，進一步提升了器件特性。

工藝成本低

TCL華星也持續致力于頂發射（T/E）減光罩背板技術開發，通過設計新型TFT實現了光罩數量的減少；通過工藝與流程優化，合并不同膜層光罩，實現了兼具較高產品品質及較低生產成本的工藝流程，提升了產品成本競爭力。

全球首款17”打印式OLED卷軸屏

應用場景方面，TCL華星結合自身先進技術與科研實力，積極推動相關產品落地�；�于Oxide TFT技術，TCL華星融合了高精度噴墨印刷工藝及頂發光的器件結構已推出兩款高質量樣品——全球首款17”打印式OLED卷軸屏和31”UD噴墨打印OLED，作為TCL華星重點產品，也曾于TCL華星全球生態顯示大會（DTC）上亮相，引發業內的廣泛關注和熱議。與此同時，TCL華星也實現了頂柵Oxide TFT在G11產線的導入，IGZO U% <3%,器件穩定性達到業內領先水平，業內首次實現了G11世代線Oxide TFT-IJP OLED點亮。

31”UD噴墨打印OLED

未來，依托于不斷探索的創新追求和成熟穩定的產線、工藝，TCL華星不僅能夠將Oxide TFT顯示屏做大做強，加速推動其量產落地，為行業打開更大的“視界”想象，還會積極發展OLED相關方面技術，將更好的顯示產品呈現給廣大消費者。